霍尔效应的测量是开展半导体研究的重要方法。本机利用计算机的数据采集和处理在80K-400K温度范围内对霍尔系数和电导率的联合测量，进行半导体导电机制及散射机制的研究，并可确定半导体的一些基本参数，如导电类型、载流子浓度、迁移率、禁带宽度以及杂质电离能等。​

主要技术指标

1．电磁铁   ​0-300mT连续可调

2. 励磁电源​0-5A连续可调  可自动换向​稳定性﹤±0.1%

3. 数字特斯拉计​0-2000mT​ 三位半数字显示   分辨率0.001

4. 恒流源输出​1mA​ 稳定性±0.1%

5. 数据采集系统霍尔电压测量最小分辨率1uV

6. 温度变化测量范围​    80-400K

7. 整套仪器由电磁铁系统、电源控制系统机箱、测量系统主机、恒温器四部分组成

8. 探头样品采用单晶锗片